現(xiàn)對(duì)“III族氮化物的低溫外延生長(zhǎng)技術(shù)”科技成果登記信息進(jìn)行為期30天的公示，公示期為2023年1月17日至2023年2月15日。如有異議，可以來(lái)電來(lái)函的方式反映情況，并請(qǐng)?zhí)峁┱鎸?shí)姓名及聯(lián)系方式。
聯(lián)系人：河源市科學(xué)技術(shù)局 鐘輝昌
聯(lián)系電話：0762-3389039
附件：“III族氮化物的低溫外延生長(zhǎng)技術(shù)”成果登記公示信息.xls
河源市科學(xué)技術(shù)局
2023年1月17日
| 成果名稱： | III族氮化物的低溫外延生長(zhǎng)技術(shù) |
| 登記日期： | 2023-01-13 |
| 完成單位： | 河源市眾拓光電科技有限公司,中興通訊股份有限公司,華南理工大學(xué),深圳市奧倫德科技股份有限公司,佛山電器照明股份有限公司 |
| 完成人員： | 李國(guó)強(qiáng),王喜瑜,王文樑,朱奕光,衣新燕,吳質(zhì)樸 |
| 研究起止日期： | 2015-12-01至2019-08-31 |
| 主要應(yīng)用行業(yè)： | 制造業(yè) |
| 高新技術(shù)領(lǐng)域： | 新材料 |
| 評(píng)價(jià)單位： | 中國(guó)有色金屬學(xué)會(huì) |
| 評(píng)價(jià)日期： | 2021-10-07 |
| 成果簡(jiǎn)介： | III族氮化物材料屬于半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域。以III族氮化物為代表的第三代半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)與器件制備技術(shù)是解決外國(guó)對(duì)我國(guó)5G關(guān)鍵戰(zhàn)略“卡脖子”技術(shù)封鎖的關(guān)鍵所在。當(dāng)前，III族氮化物外延材料與器件已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，但在材料生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、器件制備方面始終面臨瓶頸，具體表現(xiàn)為以下三個(gè)方面：（1）III族氮化物外延材料晶體質(zhì)量依然較差；（2）器件（能量轉(zhuǎn)換）效率有待進(jìn)一步提升；（3）傳統(tǒng)工藝及裝備生產(chǎn)成本較高，生產(chǎn)良率低。 為克服III族氮化物材料與器件面臨的問(wèn)題，項(xiàng)目組沿“低溫生長(zhǎng)→結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)→器件制備”全線程研究，突破了多種問(wèn)題的挑戰(zhàn)，取得了以下主要成果： （1）提出了一種激光光柵輔助PLD的低溫外延生長(zhǎng)方法，有效抑制了襯底和III族氮化物之間的界面反應(yīng)并改善了等離子體羽輝在空間的分布狀態(tài)，實(shí)現(xiàn)了具有異質(zhì)突變界面的外延薄膜生長(zhǎng)，厚度不均勻性從10.8%降低至 1.1%； （2）發(fā)明了一種PLD低溫外延結(jié)合MOCVD高溫外延的兩步生長(zhǎng)法，大幅降低了III族氮化物外延材料缺陷密度至 107cm-2的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了多種器件外延材料的高效摻雜，大幅提升載流子輸運(yùn)性能，器件能量轉(zhuǎn)化效率普遍提升超過(guò)20%； （3）發(fā)明/改造了多套針對(duì)III族氮化物器件制作關(guān)鍵裝備，實(shí)現(xiàn)了多種器件的生產(chǎn)效率提高超過(guò)25%，生產(chǎn)成本相對(duì)降低超過(guò)35%，同時(shí)器件性能超過(guò)國(guó)際同類主流產(chǎn)品20%； 項(xiàng)目技術(shù)獲授權(quán)美國(guó)、歐洲、加拿大等國(guó)內(nèi)外發(fā)明專利56件，PCT專利6件，建立了完善的專利池；發(fā)表包括Advanced Functional Materials、IEEE Electron Device Letter、Applied Physics Letters等高影響力學(xué)術(shù)論文30篇；在國(guó)際學(xué)術(shù)會(huì)議上作邀請(qǐng)報(bào)告等30余次。采用該技術(shù)，項(xiàng)目組研制了多種新型高性能III族氮化物器件：5G通訊用單晶AlN高性能SABAR濾波器，插入損耗低至1.5dB；量產(chǎn)的Si襯底上垂直結(jié)構(gòu)大功率LED芯片，光效超過(guò)200 lm/W@350 mA；汽車逆變器、手機(jī)快充用GaN功率器件，其擊穿電壓達(dá)1150 V。 所制造的第三代半導(dǎo)體芯片，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)在眾拓光電、中興通訊、佛山照明、奧倫德等公司的產(chǎn)業(yè)化，應(yīng)用項(xiàng)目技術(shù)的微基站產(chǎn)品已部署在北京萬(wàn)達(dá)廣場(chǎng)、浙江烏鎮(zhèn)的互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)展館、北京CCTV大廈、廣州白云機(jī)場(chǎng)等重大工程，開(kāi)發(fā)的LED產(chǎn)品應(yīng)用在上合組織峰會(huì)LED顯示屏、“一帶一路”國(guó)際合作高峰論壇顯示屏等多項(xiàng)重大照明工程上。項(xiàng)目成果近三年產(chǎn)生的直接經(jīng)濟(jì)效益20億元。 |
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